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开关电源

TI功率器件集成技术优势尽显

减少寄生效应：特别是限制功率密度重要因素的寄生电感。例如，TI开发的功能非常强大的GaN功率开关具有更低的寄生效应，可以极快地开关。但作为***开关，寄生电感会明显限制其性能。为此，TI在其产品LMG3410中将GaN开关与栅极驱动器封装在一起。这样就减少了栅极驱动器和开关之间寄生电感的影响，从而实现了尽可能快速的开关。同时，该器件还集成了无源器件，尤其是输入旁路电容器，减少了寄生环路电感，不仅允许功率器件在较高频率下更快开关，损耗更少，还可以保持器件的电压应力处于较低水平。

电源的元器件你懂多少？MOS管结电容多大，对哪些有影响？***跟温度是什么关系？肖特基反向***电流影响什么？电容的ESR会带来哪些影响？

肖特基二极管耐压，额定电流一般很好注意，有些参数例如导通压降在温度升高时会减小，反向***时间短，不过漏电流大(尤其是考虑到高温时漏电流影响就更大了)，寄生电感会引起关断尖峰很高。

电容一个重要参数ESR，在计算纹波时通常会考虑，ESR一般与C的关联是很大的，不过不同厂家的品质因素影响也是很巨大，一定要具体分清楚。

一般估算公司可参考：ESR=10/(C的0.73次方)，电容在高温时寿命会缩短，低温时容量会减小，漏电流也会增加等等；

当然器件在特殊情形表现出来的特性差异是值得我们思考的问题，请大家多多思量，对于我们解决特殊情况下的问题非常有帮助。

一般的LDO和高PSRR的LDO有甚么分别？

这个问题问得非常典型，其实一般的LDO是起到稳定电压的作用，它对温波造成的控制***基本集中在10K以下，在典型的 LDO数据手册里面，在10K或是100K以下的 PSR通常是在40DB以下，因为此时的LDO误差放大器基本上已经失去了放大能力。对于实际的需求来说，很多DCDC电源它的温波频率是在几百 K甚至上兆，如果是一个普通的 LDO，对于这样的噪声***没有任何能力，它只对声频范围有***能力，对于需频应用的场合，LDO通常是无能为力的，而高PSR的 LDO则能提供这方面的***，所以这也是一个根本上的完全不同的区别。